2017 Teknoloji Haberleri, Güncel Teknolojiler, Ürün İncelemeleri

10-nm’de sıkışıp kalmadık!

10-nm’de sıkışıp kalmadık!
Bu haber 30 Mart 2017 - 17:33 'de eklendi ve 302 views kez görüntülendi.
Robotik alanında en manâlı konulardan biri, otomatik kurulum ve insan ilgisini gerektirmeyen herhangi bir usul olmakta. Bağlı ama bu teknoloji bununla beraber çipler için de aranmakta. Bilişim araçları daha minik çipler tamamen daha ufak boyutlara ulaşıyorlar ve artık bu ürünler maddi sınırlarına ulaşmaya başlamaktalar. Massachusetts Institute of Technology (MITOS) ve Chicago Üniversitesi araştırmacılar, minik çip geometrilerine daha pozitif özellik sıkıştırabilen özel bir usul geliştirdiler. Teknoloji, 50 yılı aşkın bir süredir bilişim cihazlarının küçülmesine ve ucuzlamasına yardımcı olan Moore Kanunu’nun bir devamı olarak görülebilir. Araştırma, çiplerdeki kabloların otomatik kurulumuna odaklanmakta. Kablolar, çip üretimindeki en büyük zorluk olarak görülmekteler. Bu yöntemle kablolar, var olan yöntemler ile silikon üstüne ince detaylar olarak işlenmektense, blok kopolimer olarak adlandırılan malzemeler genişleyerek danışıklı tasarım ve yapılara dönüşebiliyor. MITOS kimya mühendisliği bölümü profesörlerinden Karen Gleason’ın söylediğine göre bu nesil bir teknolojinin kullanımı, var olan çip imal teknolojilerine bir adım daha eklemeyi gerektirecek. Günümüzdeki imal teknolojisi, ince silikon hatlarına uzun dalga boylu boyunca sahip ışıkların kullanımı ile devre desenleri yakmayı içeriyor. hemen çipler 10-nm işlemleri ile ürettiliyor ve daha minik transistorların aynı dalga boyu ile işlenmesi zorlaşıyor. Aşırı mor ötesi (extreme ultra-violet, EUV) dalga boylarının zorlama tekniğinin daha ayrıntılı bir işleme olanak tanıyacağı düşünülüyor. EUV’nin, 7-nm çiplerin üretiminde kullanılması bekleniyor oysa şu anda EUV’ye milyarlarca dolar yatırım üretilmiş olsa da bu işlemin üretim için mükemmelleşmesi hala büyük bir güçlük olmakta. MITOS ise bulduğu yöntemin var olan imal teknolojilerinin arasına büyük bir sorun olmadan karışabileceğini iddia ediyor. Standart zorlama teknolojileri kullanılarak blok kopolimer malzeme önceden ayarlanmış yüzey desenine kabloları oluşturması için gönderilebilir. Bundan sonra da koruyucu bir polimer katmanı blok kopolimerin üstüne kimyasal buharlı bırakım (chemical vapor deposition – cvd) adlı bir yöntem ile yerleştiriliyor. Bu da blok kopolimerlerin dikey katmanlar oluşturmasına sebep oluyor. Bu yöntem, günümüzde 3D transistorların üretilme biçimine benzemekte. Bu teknoloji, karmaşık desenler ve katmanların oluşturulmasına imkan tanıyor. Teknoloji 7-nm imal sürecine uygulanabilmekte. Teknoloji üstüne bir makale, bu hafta Nature Nanotechnology dergisinde yayınlandı. –

HABER HAKKINDA GÖRÜŞ BELİRT

Yorum yapabilmek için giriş yapmalısınız.

POPÜLER FOTO GALERİLER
SON DAKİKA HABERLERİ
İLGİLİ HABERLER